Với bộ nhớ này, tốc độ lưu trữ trên thiết bị sẽ được đẩy lên nhanh hơn rất nhiều so với lưu trữ thông thường. Cùng với bộ nhớ flash NAND V tiên tiến của Samsung, bộ nhớ UFS sẽ giúp cho iPhone cải thiện hiệu suất.

Nhiều báo cáo cho hay, từ iPhone 5, “Nhà Táo” đã bắt đầu sử dụng chip nhớ UFS của đối thủ Samsung. Tuy nhiên, iPhone 7 năm nay sẽ không được tích hợp loại thẻ nhớ này. Do đó, các tín đồ công nghệ sẽ phải chờ tới tận iPhone 2017 mới có thể thấy lại sự tái hợp trên.

Theo thông tin từ báo Hàn Quốc - ETNews, nhà sản xuất smartphone “khổng lồ” của nước này sẽ cung cấp bộ nhớ flash NAND cho iPhone của Apple trong tương lai gần. ETNews cũng cho hay: “Samsung hiện đang làm việc với các đối tác để tạo ra bộ nhớ EMI riêng. Chính vì vậy, việc cung cấp bộ nhớ cho iPhone sẽ được lùi lại vào năm tới.”

Công ty được đồn đoán sẽ thay thế Samsung cung cấp bộ nhớ NAND EMI cho “Táo khuyết” là Hynix. Đây là một công ty bán dẫn, nhà cung cấp DRAM và bộ nhớ flash, tên cũ là Hyundai Electronics, có trụ sở tải Hàn Quốc, Mỹ, Trung Quốc và Đài Loan.

Trước khi trình làng Galaxy S7 năm nay, Samsung đã ra mắt bộ nhớ UFS 2.0 256GB đầu tiên. Theo dự đoán, một số thành phần của chip nhớ trên sẽ được sử dụng trong các phiên bản iPhone và iPad tương lai, thậm chí rất có thể là trên iPhone 7.